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单晶少子寿命测试仪 硅单晶非平衡少数载流子寿命检测仪 半导体材料少数载流子寿命测量仪 硅单晶多晶磷检

单晶少子寿命测试仪 硅单晶非平衡少数载流子寿命检测仪 半导体材料少数载流子寿命测量仪 硅单晶多晶磷检

简要描述:本仪器根据通用方法高频光电导衰退法的原理设计,由稳压电源、高频源、检波放大器,特制的InGaAsp/InP红外光源及样品台共五部份组成。采用印刷电路和高频接插连接。整机结构紧凑、测量数据可靠。

产品型号: JC03-LT-2

所属分类:·工业分析仪器

更新时间:2021-07-01

详细说明:

单晶少子寿命测试仪 硅单晶非平衡少数载流子寿命检测仪 半导体材料少数载流子寿命测量仪 硅单晶多晶磷检棒寿命测量仪

型号JC03-LT-2

JC03-LT-2型单晶少子寿命测试仪是参考美国A.S.T.M标准而设计的用于测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命。半导体材料的少数载流子寿命测量,是半导体的常规测试项目之一。本仪器灵敏度较高,配备有红外光源,可测量包括集成电路级硅单晶在内的各种类型硅单晶,以及经热处理后寿命骤降的硅单晶、多晶磷检棒的寿命测量等。

本仪器根据通用方法高频光电导衰退法的原理设计,由稳压电源、高频源、检波放大器,特制的InGaAsp/InP红外光源及样品台共五部份组成。采用印刷电路和高频接插连接。整机结构紧凑、测量数据可靠。

技 术 指 标:

测试单晶电阻率范围>2Ω.cm

可测单晶少子寿命范围5μS~7000μS

配备光源类型波长:1.09μm;余辉<1μS;

闪光频率为:20~30次/秒;

闪光频率为:20~30次/秒;

高频振荡源用石英谐振器,振荡频率:30MHz

前置放大器放大倍数约25,频宽2Hz-1MHz

仪器测量重复误差<±20%

测量方式采用对标准曲线读数方式

仪器消耗功率<25W

仪器工作条件温度:10-35℃、湿度<80%、使用电源:AC220V,50Hz

可测单晶尺寸断面竖测:φ25mm—150mm;L2mm—500mm;

纵向卧测:φ25mm—150mm;L50mm—800mm;

配用示波器频宽0—20MHz;

电压灵敏:10mV/cm;

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北京北信未来电子科技中心

    :刘华

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