产品用途：800高温四探针双电组合电阻率测试仪
用于：企业、高等院校、科研部门对导电陶瓷、硅、锗单晶（棒料、晶片）电阻率、测定硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃（ITO）和其它导电薄膜等新材料方块电阻、电阻率和电导率数据.
双电测四探针仪是运用直线四探针双位测量。设计参照单晶硅物理测试方法并参考美国 A.S.T.M 标准。
仪器特点：800高温四探针双电组合电阻率测试仪
采用四探针双电组合测量方法测试方阻和电阻率系统与高温箱结合配置高温四探针测试探针治具与PC软件对数据的处理和测量控制，解决半导体材料的电导率对温度变化测量要求，软件实时绘制出温度与电阻，电阻率，电导率数据的变化曲线图谱，及过程数据值的报表分析.
技术参数：
1.方块电阻范围 | 10^-6～2×10^5Ω/□ |
2.电阻率范围 | 10^-7～2×10^6Ω-cm |
3.测试电流范围 | 1A、100mA、10mA、1mA、100uA、10uA、1uA、0.1uA |
4.电流精度 | ±0.1读数 |
5.电阻精度 | ≤0.3% |
PC软件界面 | 显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率 |
7.测试方式 | 双电测量 |
8.四探针仪工作电源 | AC 220V±10%.50Hz <30W |
9.误差 | ≤3%（标准样片结果 |
10.温度(选购) | 常温--200℃;400℃；600℃；800℃；1000℃；1200℃；1400℃；1600℃ |
11.气氛保护（气体客户自备） | 常用气体如下：氦(He)、氖(Ne)、氩(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)、氡(Rn)，均为无色、无臭、气态的单原子分子 |
12.温度精度 | 冲温值：≤1-3℃；控温精度：±1°C |
13.升温速度： | 常温开始400℃--800℃需要15分钟；800℃-1200℃需要30分钟；1400℃-1600℃需要250分钟—300分钟 |
14.高温材料 | 采用复合陶瓷纤维材料，具有真空成型，高温不掉粉的特征 |
15.PC软件
| 测试PC软件一套，USB通讯接口，软件界面同步显示、分析、保存和打印数据！ |
16.电极（探针）材料标配 | 钨电极或钼电极+电极（探针）陶瓷管 +高温陶瓷样品台，1套. |
17.探针间距 | 直线型探针，探针间距：4mm； |
18.样品要求 | 样品长度要求≥13mm 样品宽≥2mm或直径≥13mm |
19.高温电源：
| 供电：400-1200℃ 电源220V，功率2-4KW；380V;1400℃-1600℃电源380V；功率4-6KW： |
20.标配外（选购）： | a电脑和打印机1套；b.标准电阻1-5个； c.S型铂铑探针电极（温度范围：200-1300度）； d.B型铂铑探针电极（温度范围：1400-1600度） |
